C3高壓均質(zhì)機在MLCC行業(yè)的應用

　　C3高壓均質(zhì)機主要是由分散單元和增壓機構組成，分散單元內部通常有“Z”型和“Y”型。在增壓機構的作用下，高壓狀態(tài)下的樣品在分散單元的狹小縫隙間快速通過(guò)。此時(shí)流體內壓力的急劇下降而形成的超聲速流速，流體內的粒子碰撞，空化和湍流，剪切力作用于劈開(kāi)納米大小的細微分子使流體的成分以*的均質(zhì)的狀態(tài)存在。

 

　　C3高壓均質(zhì)機隨著(zhù)電子信息技術(shù)的快速發(fā)展，對作為電子信息材料重要組成部分的電極漿料提出新的、更高的要求。MLCC作為最主要的陶瓷電容，成為被動(dòng)電子元件中使用最為廣泛、用途*、使用量最大的電子元件。

 

　　片式多層陶瓷電容器（MLCC）是由印好電極（內電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯位的方式疊合起來(lái)，經(jīng)過(guò)一次性高溫燒結形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極），從而形成一個(gè)類(lèi)似獨石的結構體。

 

　　MLCC生產(chǎn)過(guò)程中，首先需調漿，即將陶瓷粉和粘合劑、溶劑等按一定比例分散研磨處理，形成陶瓷漿料。質(zhì)量良好的陶瓷漿料的制備是制作MLCC的基礎。常用的陶瓷漿料是砂磨機處理后的鈦酸鋇漿料，但是采用砂磨機，清洗不方便，且產(chǎn)品性能有局限。近年來(lái)越來(lái)越多的廠(chǎng)家使用高壓均質(zhì)機或微射流均質(zhì)機來(lái)處理鈦酸鋇漿料。但因鈦酸鋇顆粒較大，直接用超高壓微射流均質(zhì)機處理，特別容易堵塞。而只采用高壓均質(zhì)機，陶瓷漿料的分散研磨效果達不到最佳。所以我們采用高壓均質(zhì)—微射流兩用均質(zhì)機來(lái)處理物料。

 

　　C3高壓均質(zhì)機物料通過(guò)往復運動(dòng)的柱塞泵吸入并加壓，在柱塞作用下進(jìn)入壓力大小可調節的閥組中，經(jīng)過(guò)特定寬度的限流縫隙（工作區）后，瞬間失壓的物料會(huì )產(chǎn)生一個(gè)很大的爆破力，以*的流速（1000至1500米/秒）噴出，碰撞在閥組件之一的撞擊環(huán)上，產(chǎn)生了三種效應：空穴效應、撞擊效應、剪切效應，從而達到液體樣品均質(zhì)、粉碎和乳化的效果。